RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
36
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2474
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link