RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
36
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2474
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link