RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
45
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3115
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link