RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
36
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
10.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2213
2474
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB RAM-Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link