RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
44
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
44
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3146
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link