RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
36
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
3208
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link