RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
36
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
36
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2998
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link