RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
71
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
71
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
1902
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link