RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
66
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
66
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
1934
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
UMAX Technology 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link