RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
66
Около 50% меньшая задержка
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
66
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.3
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
1934
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link