RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
29
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
18.6
Скорость записи, Гб/сек
12.0
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3480
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link