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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
29
读取速度,GB/s
17.6
18.6
写入速度,GB/s
12.0
14.8
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3480
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
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