RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
23
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3086
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link