RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
63
74
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
74
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
1344
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link