RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
63
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
40
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
2772
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link