RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
63
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
31
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
3497
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link