RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
63
Wokół strony -66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
38
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
2961
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link