RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
63
Wokół strony -186% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
22
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
2648
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link