RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
63
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
21
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
3512
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link