RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
63
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
27
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
3327
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link