RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
63
Wokół strony -186% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
22
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
3169
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link