RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
63
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
24
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
22.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
18.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
4202
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link