RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
63
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
21
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
17.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
3954
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link