RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
63
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
4156
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link