RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
63
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
53
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
2301
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link