RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
63
Wokół strony -186% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
22
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
3007
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link