RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
63
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
46
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
3168
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link