RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
63
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
29
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
2601
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link