RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
63
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
35
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
3045
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link