RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.1
7.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
63
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
39
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
7.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
1768
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link