RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
63
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
28
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
3650
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link