RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Porównaj
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
66
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
7.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
25
Prędkość odczytu, GB/s
7.3
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1760
2466
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link