RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Porównaj
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
66
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
7.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
28
Prędkość odczytu, GB/s
7.3
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1760
3366
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link