RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
51
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2049
2938
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link