RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
73
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
42
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3126
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link