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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
73
左右 -74% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
42
读取速度,GB/s
3,510.5
12.9
写入速度,GB/s
1,423.3
12.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3126
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
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Kingston 99U5428-052.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
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