RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
49
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
20
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3549
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link