RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
49
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3500
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link