RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Porównaj
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB vs SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
55
60
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
55
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2511
2699
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link