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Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
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Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB vs SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
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Razões a considerar
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
55
60
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
55
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
12.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2511
2699
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
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Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
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