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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
12.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
65
Por volta de -55% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
42
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
12.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
10.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2701
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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