RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
49
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3373
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link