RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
49
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.6
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
17.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
4000
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link