RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
6.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
24
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
6.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
2078
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link