RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
6.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
24
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
6.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
2078
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link