RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
6.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
24
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
13.4
Скорость записи, Гб/сек
12.7
6.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
2078
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link