RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
74
Около 53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.7
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
74
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
1616
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link