RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
49
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2903
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link