RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
104
Wokół strony -300% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2291
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link