RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
49
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2539
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link