RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
49
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3297
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link