RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
68
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
68
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2007
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link